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CMOS晶體振蕩器(XO2520)

所屬分類:


• 外形尺寸2.5*2.0*0.9mm • 體積小、可靠性高 • 寬電源電壓:1.7-3.6V • 工作溫度範圍:-40~+125℃


寬溫度範圍

超小型化

超低抖動

高穩定性

超高頻

產品詳細信息


特征

• 外形尺寸2.5*2.0*0.9mm
• 體積小、可靠性高
• 寬電源電壓:1.7-3.6V
• 工作溫度範圍:-40~+125℃
典型應用

• 可廣泛應用於工業通訊、導航、雷達等領域
• AEC-Q100 &AEC-Q200適用
 

尺寸

 

電性能參數

技術指標 3.3V 2.5V 1.8V Unit.
Min. Max. Min. Max. Min. Max.
工作電壓(VDD) VDD-5% VDD+5% VDD-5% VDD+5% VDD-5% VDD+5% V
輸出頻率 1 125 1 125 1 125 MHz
輸入電流 在15pF負載時 - 25 - 25 - 20 mA
無負載時,1MHz≤F。<10MHz - 1.0 - 1.0 - 0.75 mA
無負載時,10MHz≤F。<20MHz - 1.0 - 1.0 - 0.75 mA
無負載時,20MHz≤F。<80MHz - 1.3 - 1.3 - 1.0 mA
無負載時,80MHz≤F。<125MHz - 6 - 6 - 3 mA
占空比 45 55 45 55 45 55 %6
輸出電平 輸出高電平 2.97 - 2.25 - 1.62 - V
輸出低電平 - 0.33 - 0.25 - 0.18

轉換時間:

上升/下降時間+

1.25MHz≤F。<10MHz - 4 - 5 - 6 nSec
10MHz≤F。<20MHz - 4 - 5 - 6 nSec
20MHz≤F。<80MHz - 4 - 5 - 6 nSec
  啟動時間 - 5 - 5 - 5 mSec

三態

 

(接Pin1)

啟用(高電平或者懸空) 0.7VDD - 0.7VDD - 0.7VDD - V
禁用(低電平或接地) - 0.3VDD - 0.3VDD - 0.3VDD
輸出負載 1 5 1 5 1 5 PF
待機電流 - 100 - 100 - 100 uA
老化率(@25℃,第一年) - ±3 - ±3 - ±3 ppm
存儲溫度 -55 125 -55 125 -55 125
抖動(峰峰值) - 40 - 40 - 40 pSec
相位抖動均方根(12KHz~20MHz) - 1 - 1 - 1 pSec

 

標準頻率是指晶體設計的頻率,並不表示存貨狀況。

+轉換時間是在電源電壓10%-90%變化範圍內測量的。

 

頻率穩定度vs.溫度範圍

溫度 (℃) / ppm

± 20

± 25

± 50

-10 ~ +60

-20 ~ +70

-40 ~+85

-40 ~ +125

X

X

 

⚪: 可提供   ▲: 有條件下提供   ❌: 不可提供

* 包括校準 @ 25 ° c,工作溫度範圍,輸入電壓變化,負載變化,老化 (第一年),衝擊和振動條件下校準。


注意:並非所有選項組合都可提供。
其他規格可根據要求提供,規格如有更改編輯。


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圖片名稱

137 1505 9500

郵箱: service@huanyuangroup.com

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